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产品概览

产品型号
RCX081N20
现有数量
152
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET

文档与媒体

数据列表
RCX081N20

产品详情

Id-连续漏极电流 :
8 A
Pd-功率耗散 :
40 W
Qg-栅极电荷 :
8.5 nC
Rds On-漏源导通电阻 :
550 mOhms
Vds-漏源极击穿电压 :
200 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
3.25 V
安装风格 :
Through Hole
封装 :
Cut Tape, Reel
封装 / 箱体 :
TO-220FP-3
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
最小工作温度 :
- 55 C
通道数量 :
1 Channel
通道模式 :
Enhancement
配置 :
Single

现有数量:152

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