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产品概览

产品型号
RGT50NS65DGC9
现有数量
1,000
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
IGBT 晶体管
产品描述
IGBT 晶体管 IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

文档与媒体

数据列表
RGT50NS65DGC9

产品详情

Pd-功率耗散 :
194 W
在25 C的连续集电极电流 :
48 A
安装风格 :
Through Hole
封装 :
Tube
封装 / 箱体 :
TO-262-3
技术 :
SI
最大工作温度 :
+ 175 C
最小工作温度 :
- 40 C
栅极/发射极最大电压 :
30 V
配置 :
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO :
650 V
集电极—射极饱和电压 :
1.65 V
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