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产品概览

产品型号
PD55003-E
现有数量
222
制造商
STMicroelectronics
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
产品描述
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS

文档与媒体

数据列表
PD55003-E

产品详情

Id-连续漏极电流 :
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压 :
40 V
增益 :
17 dB
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Tube
封装 / 箱体 :
PowerSO-10RF-Formed-4
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
最小工作温度 :
- 65 C
输出功率 :
3 W

现有数量:222

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