产品概览
- 产品型号
- QPD1018
- 现有数量
- 0
- 制造商
- Qorvo
- 产品描述
- 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
文档与媒体
- 数据列表
- QPD1018
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 15 A
- Pd-功率耗散 :
- 522 W
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 145 V
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- - 7 V to 2 V
- 增益 :
- 17.7 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 / 箱体 :
- 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
- 技术 :
- GaN SiC
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 晶体管类型 :
- HEMT
- 最大工作温度 :
- + 85 C
- 最大漏极/栅极电压 :
- 55 V
- 最小工作温度 :
- - 40 C
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