产品概览
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- 数据列表
- QPD1000
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 817 mA
- Pd-功率耗散 :
- 28.8 W
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 28 V
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- 100 V
- 增益 :
- 19 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Tray
- 封装 / 箱体 :
- QFN-8
- 技术 :
- GaN SiC
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 晶体管类型 :
- HEMT
- 最大工作温度 :
- + 85 C
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 输出功率 :
- 24 W
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