产品概览
- 产品型号
- A3G26H501W17SR3
- 现有数量
- 0
- 产品描述
- 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V
文档与媒体
- 数据列表
- A3G26H501W17SR3
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 42 mA
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 150 V
- 增益 :
- 13.7 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Reel
- 封装 / 箱体 :
- NI-780S-4S2S
- 技术 :
- GaN
- 最大工作温度 :
- + 225 C
- 最小工作温度 :
- - 55 C
- 输出功率 :
- 56 W
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