产品概览
- 产品型号
- A3G20S250-01SR3
- 现有数量
- 187
- 产品描述
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V
文档与媒体
- 数据列表
- A3G20S250-01SR3
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 250 mA
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 150 V
- 增益 :
- 18.2 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Cut Tape, Reel
- 封装 / 箱体 :
- NI-400S-2
- 技术 :
- GaN Si
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最小工作温度 :
- - 55 C
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