产品概览
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- 数据列表
- T2G6000528-Q3
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 650 mA
- Pd-功率耗散 :
- 12.5 W
- Vds-漏源极击穿电压 :
- -
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- -
- 增益 :
- 15 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Tray
- 封装 / 箱体 :
- NI-200
- 技术 :
- GaN SiC
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 晶体管类型 :
- HEMT
- 最大漏极/栅极电压 :
- -
- 输出功率 :
- 10 W
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