产品概览
- 产品型号
- GTVA107001EC-V1-R250
- 现有数量
- 0
- 制造商
- Wolfspeed / Cree
- 产品描述
- 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
文档与媒体
- 数据列表
- GTVA107001EC-V1-R250
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 10 A
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 150 V
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- - 10 V to 2 V
- 增益 :
- 18 dB
- 安装风格 :
- Screw Mount
- 封装 :
- Reel
- 封装 / 箱体 :
- H-36248-2
- 技术 :
- GaN SiC
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 晶体管类型 :
- HEMT
- 最大漏极/栅极电压 :
- -
- 输出功率 :
- 890 W
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