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产品概览

产品型号
RFM00U7U(TE85L,F)
现有数量
0
制造商
Toshiba
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
产品描述
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V

文档与媒体

数据列表
RFM00U7U(TE85L,F)

产品详情

Id-连续漏极电流 :
100 mA
Vds-漏源极击穿电压 :
20 V
增益 :
13 dB
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Reel
封装 / 箱体 :
SOT-343-4
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
输出功率 :
200 mW
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