产品概览
- 产品型号
- PD20010TR-E
- 现有数量
- 0
- 产品描述
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
文档与媒体
- 数据列表
- PD20010TR-E
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 5 A
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 40 V
- 增益 :
- 11 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- 封装 / 箱体 :
- PowerSO-10RF-Formed-4
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 输出功率 :
- 10 W
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