产品概览
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- 数据列表
- HIP2100EIBZT
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 3.1 W
- 上升时间 :
- 10 ns
- 下降时间 :
- 10 ns
- 传播延迟—最大值 :
- 35 ns
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Reel
- 封装 / 箱体 :
- SOIC-EP-Narrow-8
- 工作电源电流 :
- 2.5 mA
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最小工作温度 :
- - 55 C
- 激励器数量 :
- 2 Driver
- 电源电压-最大 :
- 14 V
- 系列 :
- HIP2100
- 输出电流 :
- 2 A
- 输出端数量 :
- 2 Output
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