产品概览
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- 数据列表
- NFAM2065L4B
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 96 W
- 上升时间 :
- -
- 下降时间 :
- -
- 产品 :
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 传播延迟—最大值 :
- -
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 :
- Tube
- 封装 / 箱体 :
- DIP-39
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 激励器数量 :
- 6 Driver
- 电源电压-最大 :
- 400 V
- 电源电压-最小 :
- -
- 类型 :
- 3 Phase
- 输出电流 :
- 20 A
- 输出端数量 :
- 6 Output
- 配置 :
- Inverting
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