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产品概览

产品型号
TJ200F04M3L,LXHQ
现有数量
0
制造商
Toshiba
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SM(W) PD=375W F=1MHZ

文档与媒体

数据列表
TJ200F04M3L,LXHQ

产品详情

Id-连续漏极电流 :
200 A
Pd-功率耗散 :
375 W
Qg-栅极电荷 :
460 nC
Rds On-漏源导通电阻 :
1.8 mOhms
Vds-漏源极击穿电压 :
40 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
- 20 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
- 3 V
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Cut Tape, Reel
封装 / 箱体 :
TO-220SM-3
技术 :
SI
晶体管极性 :
P-Channel
最大工作温度 :
+ 175 C
最小工作温度 :
-
通道数量 :
1 Channel
通道模式 :
Enhancement
配置 :
Single
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