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产品概览

产品型号
NP90N06VLG-E1-AY
现有数量
0
制造商
Renesas / Intersil
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET POWER DEVICE E AUTO MOS MP-3ZP UMOS4

文档与媒体

数据列表
NP90N06VLG-E1-AY

产品详情

Id-连续漏极电流 :
90 A
Pd-功率耗散 :
105 W
Qg-栅极电荷 :
90 nC
Vds-漏源极击穿电压 :
60 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
2.5 V
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Reel
封装 / 箱体 :
TO-252-3
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
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