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产品概览

产品型号
TPN6R003NL,LQ
现有数量
0
制造商
Toshiba
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

文档与媒体

数据列表
TPN6R003NL,LQ

产品详情

Id-连续漏极电流 :
56 A
Pd-功率耗散 :
32 W
Qg-栅极电荷 :
17 nC
Rds On-漏源导通电阻 :
6.8 mOhms
Vds-漏源极击穿电压 :
30 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
2.3 V
商标名 :
U-MOSVIII-H
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Reel
封装 / 箱体 :
TSON-Advance-8
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
最小工作温度 :
- 55 C
通道数量 :
1 Channel
通道模式 :
Enhancement
配置 :
Single
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