温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

产品概览

产品型号
ZVN2106GTA
现有数量
7,409
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET N-Chnl 60V T/R

文档与媒体

数据列表
ZVN2106GTA

产品详情

Id-连续漏极电流 :
710 mA
Pd-功率耗散 :
2 W
Rds On-漏源导通电阻 :
2 Ohms
Vds-漏源极击穿电压 :
60 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
800 mV
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Cut Tape, MouseReel, Reel
封装 / 箱体 :
SOT-223-3
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
最小工作温度 :
- 55 C
通道数量 :
1 Channel
通道模式 :
Enhancement
配置 :
Single

现有数量:7,409

相似产品

购物车
微信咨询
服务热线
我的询价