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- 数据列表
- SIZ926DT-T1-GE3
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 40 A, 60 A
- Pd-功率耗散 :
- 20.2 W, 40 W
- Qg-栅极电荷 :
- 12.5 nC, 27 nC
- Rds On-漏源导通电阻 :
- 2.2 mOhms, 4.8 mOhms
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 25 V
- Vgs - 栅极-源极电压 :
- - 12 V, 16 V
- Vgs th-栅源极阈值电压 :
- 2.2 V
- 商标名 :
- TrenchFET
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- 封装 / 箱体 :
- PowerPAIR-6x5-8
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最小工作温度 :
- - 55 C
- 通道数量 :
- 2 Channel
- 通道模式 :
- Enhancement
- 配置 :
- Dual
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