产品概览
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- 数据列表
- 2N5115e3
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 500 mW
- Rds On-漏源导通电阻 :
- 100 Ohms
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 30 V
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- 30 V
- Vgs=0时的漏-源电流 :
- - 15 mA to - 60 mA
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 :
- Bulk
- 封装 / 箱体 :
- TO-18-3
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- P-Channel
- 最大工作温度 :
- + 200 C
- 最小工作温度 :
- - 65 C
- 配置 :
- Single
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