产品概览
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- 数据列表
- BSM100GB120DN2K
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 700 W
- 产品 :
- IGBT Silicon Modules
- 在25 C的连续集电极电流 :
- 145 A
- 封装 :
- Tray
- 封装 / 箱体 :
- Half Bridge1
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 栅极—射极漏泄电流 :
- 400 nA
- 配置 :
- Half Bridge
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :
- 1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :
- 2.5 V
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