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产品概览

产品型号
1N5610e3
现有数量
0
制造商
Microchip / Microsemi
产品类别
TVS 二极管/ESD 抑制器
产品描述
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS

文档与媒体

数据列表
1N5610e3

产品详情

Ipp - 峰值脉冲电流 :
32 A
产品类型 :
TVS Diodes
击穿电压 :
33 V
封装 :
Bulk
封装 / 箱体 :
G-Package-2
峰值脉冲功耗 (Pppm) :
1.5 kW
工作电压 :
30.5 V
最大工作温度 :
+ 175 C
最小工作温度 :
- 55 C
极性 :
Unidirectional
端接类型 :
Axial
通道数量 :
1 Channel
钳位电压 :
47.6 V

现有数量:0

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