产品概览
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- 数据列表
- OPI110A
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 100 mW
- Vf - 正向电压 :
- 1.6 V
- Vr - 反向电压 :
- 2 V
- 封装 :
- Bulk
- 最大工作温度 :
- + 85 C
- 最大集电极/发射极电压 :
- 30 V
- 最大集电极/发射极饱和电压 :
- 0.4 V
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 绝缘电压 :
- 10000 VDC
- 输出类型 :
- NPN Phototransistor
- 通道数量 :
- 1 Channel
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