产品概览
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- 数据列表
- APTGT30H170T3G
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 210 W
- 产品 :
- IGBT Silicon Modules
- 在25 C的连续集电极电流 :
- 45 A
- 封装 :
- Tube
- 封装 / 箱体 :
- SP3-32
- 最大工作温度 :
- + 100 C
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 栅极—射极漏泄电流 :
- 600 nA
- 配置 :
- Full Bridge
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :
- 1.7 kV
- 集电极—射极饱和电压 :
- 2 V
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