产品概览
- 产品型号
- 2SK3756(TE12L,F)
- 现有数量
- 1,715
- 制造商
- Toshiba
- 产品描述
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
文档与媒体
- 数据列表
- 2SK3756(TE12L,F)
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 1 A
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 7.5 V
- 增益 :
- 12 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- 封装 / 箱体 :
- PW-Mini-3
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
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