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产品概览

产品型号
2SK3074TE12LF
现有数量
9,273
制造商
Toshiba
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
产品描述
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS

文档与媒体

数据列表
2SK3074TE12LF

产品详情

Id-连续漏极电流 :
1 A
Vds-漏源极击穿电压 :
30 V
增益 :
14.9 dB
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Cut Tape, MouseReel, Reel
封装 / 箱体 :
PW-Mini-3
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
输出功率 :
630 mW

现有数量:9,273

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