产品概览
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- 数据列表
- CGHV1F025S
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 2 A
- Pd-功率耗散 :
- -
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 100 V
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- - 10 V to 2 V
- 增益 :
- 11 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Cut Tape, Reel
- 封装 / 箱体 :
- DFN-12
- 技术 :
- GaN SiC
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 晶体管类型 :
- HEMT
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最大漏极/栅极电压 :
- -
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 输出功率 :
- 25 W
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