产品概览
- 产品型号
- QPD2195SR
- 现有数量
- 0
- 制造商
- Qorvo
- 产品描述
- 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
文档与媒体
- 数据列表
- QPD2195SR
产品详情
- 增益 :
- 20.4 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Reel
- 封装 / 箱体 :
- NI780-2
- 技术 :
- GaN SiC
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 晶体管类型 :
- HEMT
- 最大漏极/栅极电压 :
- 55 V
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 输出功率 :
- 400 W
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