产品概览
- 产品型号
- MT3S113P(TE12L,F)
- 现有数量
- 0
- 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 射频(RF)双极晶体管
- 产品描述
- 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
文档与媒体
- 数据列表
- MT3S113P(TE12L,F)
产品详情
- 发射极 - 基极电压 VEBO :
- 0.6 V
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Cut Tape, Reel
- 封装 / 箱体 :
- SC-62-3
- 技术 :
- SiGe
- 晶体管极性 :
- NPN
- 晶体管类型 :
- Bipolar
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 直流集电极/Base Gain hfe Min :
- 200
- 系列 :
- MT3S113P
- 配置 :
- Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :
- 5.3 V
- 集电极连续电流 :
- 100 mA
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