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产品概览

产品型号
NSVF6001SB6T1G
现有数量
15,000
制造商
ON Semiconductor
产品类别
射频(RF)双极晶体管
产品描述
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.1A 12V FT=6.7G

文档与媒体

数据列表
NSVF6001SB6T1G

产品详情

发射极 - 基极电压 VEBO :
2 V
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Reel
封装 / 箱体 :
CPH-6
技术 :
SI
晶体管极性 :
NPN
晶体管类型 :
Bipolar
最大工作温度 :
+ 150 C
最小工作温度 :
- 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min :
90 at 30 mA, 9 V
配置 :
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO :
12 V
集电极连续电流 :
100 mA
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