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产品概览

产品型号
MJD122-1G
现有数量
0
制造商
ON Semiconductor
产品类别
达林顿晶体管
产品描述
达林顿晶体管 BIP IPAK NPN 8A 100V

文档与媒体

数据列表
MJD122-1G

产品详情

Pd-功率耗散 :
20 W
发射极 - 基极电压 VEBO :
5 V
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Tube
封装 / 箱体 :
DPAK-3
晶体管极性 :
NPN
最大工作温度 :
+ 150 C
最大直流电集电极电流 :
16 A
最小工作温度 :
- 65 C
系列 :
MJD122
配置 :
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO :
100 V
集电极—基极电压 VCBO :
100 V

现有数量:0

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