产品概览
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- 数据列表
- OP506B
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 100 mW
- 产品 :
- Phototransistors
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 / 箱体 :
- T-1-2
- 峰值波长 :
- 935 nm
- 开启状态集电极最大电流 :
- 5.95 mA
- 暗电流 :
- 100 nA
- 最大工作温度 :
- + 100 C
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :
- 30 V
- 集电极—射极击穿电压 :
- 30 V
- 集电极—射极饱和电压 :
- 0.4 V
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