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产品概览

产品型号
IXZ210N50L2
现有数量
85
制造商
IXYS
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
产品描述
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ210N50L2 10A 500V N Channel ZMOS Linear MOSFET

文档与媒体

数据列表
IXZ210N50L2

产品详情

Id-连续漏极电流 :
10 A
Rds On-漏源导通电阻 :
1 Ohms
Vds-漏源极击穿电压 :
500 V
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Tube
封装 / 箱体 :
SMD-6
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
最小工作温度 :
- 55 C
输出功率 :
390 W

现有数量:85

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