产品概览
- 产品型号
- A2T14H450-23NR6
- 现有数量
- 0
- 产品描述
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1452-1511 MHz, 93 W Avg., 31 V
文档与媒体
- 数据列表
- A2T14H450-23NR6
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 3 A
- Vds-漏源极击穿电压 :
- - 500 mV, 65 V
- 增益 :
- 18.8 dB
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Reel
- 封装 / 箱体 :
- OM-1230-4L2S
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- Dual N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 输出功率 :
- 93 W
热销型号
热门分类
热销品牌
