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产品概览

产品型号
CE3512K2
现有数量
315
制造商
CEL
产品类别
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
产品描述
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

文档与媒体

数据列表
CE3512K2

产品详情

Id-连续漏极电流 :
10 mA
Pd-功率耗散 :
125 mW
Vds-漏源极击穿电压 :
4 V
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Bulk
技术 :
GaAs
晶体管类型 :
pHEMT
最大工作温度 :
+ 125 C
最小工作温度 :
- 55 C

现有数量:315

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