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- 数据列表
- IXTQ102N15T
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 102 A
- Pd-功率耗散 :
- 455 W
- Rds On-漏源导通电阻 :
- 18 mOhms
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 150 V
- Vgs - 栅极-源极电压 :
- 20 V
- 商标名 :
- HiPerFET
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 :
- Bulk
- 封装 / 箱体 :
- TO-3P-3
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 175 C
- 最小工作温度 :
- - 55 C
- 通道数量 :
- 1 Channel
- 通道模式 :
- Enhancement
- 配置 :
- Single
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