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产品概览

产品型号
EM6K31GT2R
现有数量
2,625
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET

文档与媒体

数据列表
EM6K31GT2R

产品详情

Id-连续漏极电流 :
250 mA
Pd-功率耗散 :
150 mW
Rds On-漏源导通电阻 :
1.7 Ohms
Vds-漏源极击穿电压 :
60 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
1 V
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Cut Tape, MouseReel, Reel
封装 / 箱体 :
SOT-563-6
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
通道数量 :
2 Channel
通道模式 :
Enhancement
配置 :
Dual

现有数量:2,625

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