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产品概览

产品型号
RCX080N25
现有数量
605
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

文档与媒体

数据列表
RCX080N25

产品详情

Id-连续漏极电流 :
8 A
Pd-功率耗散 :
2.23 W
Qg-栅极电荷 :
15 nC
Rds On-漏源导通电阻 :
460 mOhms
Vds-漏源极击穿电压 :
250 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
3 V
安装风格 :
Through Hole
封装 :
Cut Tape, Reel
封装 / 箱体 :
TO-220FP-3
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
通道数量 :
1 Channel
通道模式 :
Enhancement
配置 :
Single

现有数量:605

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