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产品概览

产品型号
RE1C002UNTCL
现有数量
120,917
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET

文档与媒体

数据列表
RE1C002UNTCL

产品详情

Id-连续漏极电流 :
200 mA
Pd-功率耗散 :
150 mW
Rds On-漏源导通电阻 :
1.2 Ohms
Vds-漏源极击穿电压 :
20 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
8 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
1 V
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Cut Tape, MouseReel, Reel
封装 / 箱体 :
SOT-416FL-3
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 150 C
最小工作温度 :
- 55 C
通道数量 :
1 Channel
通道模式 :
Enhancement
配置 :
Single
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