文档与媒体
- 数据列表
- TPW4R50ANH,L1Q
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 92 A
- Pd-功率耗散 :
- 142 W
- Qg-栅极电荷 :
- 58 nC
- Rds On-漏源导通电阻 :
- 4.5 mOhms
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 100 V
- Vgs - 栅极-源极电压 :
- 10 V
- Vgs th-栅源极阈值电压 :
- 2 V
- 商标名 :
- U-MOSVIII-H
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- 封装 / 箱体 :
- DSOP Advance-8
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 通道数量 :
- 1 Channel
- 通道模式 :
- Enhancement
- 配置 :
- Single
热销型号
热门分类
热销品牌
