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产品概览

产品型号
SCT3017ALHRC11
现有数量
772
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

文档与媒体

数据列表
SCT3017ALHRC11

产品详情

Id-连续漏极电流 :
118 A
Pd-功率耗散 :
427 W
Qg-栅极电荷 :
172 nC
Rds On-漏源导通电阻 :
17 mOhms
Vds-漏源极击穿电压 :
650 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
- 4 V, 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :
2.7 V
安装风格 :
Through Hole
封装 :
Tube
封装 / 箱体 :
TO-247N-3
技术 :
SiC
晶体管极性 :
N-Channel
最大工作温度 :
+ 175 C
最小工作温度 :
- 55 C
资格 :
AEC-Q101
通道数量 :
1 Channel
通道模式 :
Enhancement
配置 :
Single
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