产品概览
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- 数据列表
- HS8K1TB
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 11 A
- Pd-功率耗散 :
- 2 W
- Qg-栅极电荷 :
- 6 nC, 7.4 nC
- Rds On-漏源导通电阻 :
- 11.8 mOhms
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 30 V
- Vgs - 栅极-源极电压 :
- 20 V
- Vgs th-栅源极阈值电压 :
- 1.2 V
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Cut Tape, Reel
- 封装 / 箱体 :
- HSML3030L-10
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最小工作温度 :
- - 55 C
- 通道数量 :
- 2 Channel
- 通道模式 :
- Enhancement
- 配置 :
- Dual
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