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- 数据列表
- IFN5114
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- - 15 mA
- Pd-功率耗散 :
- 500 mW (1/2 W)
- Rds On-漏源导通电阻 :
- 75 Ohms
- Vds-漏源极击穿电压 :
- - 15 V
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- 30 V
- Vgs=0时的漏-源电流 :
- - 90 mA
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 :
- Bulk
- 封装 / 箱体 :
- TO-18-3
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- P-Channel
- 系列 :
- IFN511
- 配置 :
- Single
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