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- 数据列表
- IFN112
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 360 mW
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- - 50 V
- Vgs=0时的漏-源电流 :
- 9 mA
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 :
- Bulk
- 封装 / 箱体 :
- TO-18-3
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 配置 :
- Single
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多
型号齐全
45W+现货SKU
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所有物料原厂原装
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价格优势
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