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- 数据列表
- 2N5912
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 500 mW (1/2 W)
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 10 V
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- 25 V
- Vgs=0时的漏-源电流 :
- 40 mA
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 :
- Bulk
- 封装 / 箱体 :
- SOIC-8
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 配置 :
- Single
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