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- 数据列表
- IXDN55N120D1
产品详情
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Tube
- 封装 / 箱体 :
- SOT-227B-4
- 技术 :
- SI
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 栅极/发射极最大电压 :
- 20 V
- 系列 :
- IXDN55N120
- 配置 :
- Single Dual Emitter
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :
- 1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :
- 2.3 V
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