温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

产品概览

产品型号
RGTV00TS65GC11
现有数量
440
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
IGBT 晶体管
产品描述
IGBT 晶体管 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

文档与媒体

数据列表
RGTV00TS65GC11

产品详情

Pd-功率耗散 :
276 W
在25 C的连续集电极电流 :
95 A
安装风格 :
Through Hole
封装 :
Tube
封装 / 箱体 :
TO-247N-3
技术 :
SI
最大工作温度 :
+ 175 C
最小工作温度 :
- 40 C
栅极/发射极最大电压 :
30 V
配置 :
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO :
650 V
集电极—射极饱和电压 :
1.5 V
购物车
微信咨询
服务热线
我的询价