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- 数据列表
- PT5529B/L2-F
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 75 mW
- 上升时间 :
- 15 us
- 下降时间 :
- 15 us
- 产品 :
- Phototransistors
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 / 箱体 :
- Side View
- 开启状态集电极最大电流 :
- 20 mA
- 暗电流 :
- 100 nA
- 最大工作温度 :
- + 85 C
- 最小工作温度 :
- - 25 C
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :
- 30 V
- 集电极—射极击穿电压 :
- 30 V
- 集电极—射极饱和电压 :
- 0.4 V
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