产品概览
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- 数据列表
- 4N25-000E
产品详情
- If - 正向电流 :
- 80 mA
- Pd-功率耗散 :
- 250 mW
- Vf - 正向电压 :
- 1.5 V
- Vr - 反向电压 :
- 6 V
- 封装 :
- Tube
- 封装 / 箱体 :
- PDIP-6
- 最大工作温度 :
- + 100 C
- 最大集电极/发射极电压 :
- 30 V
- 最大集电极/发射极饱和电压 :
- 0.5 V
- 最大集电极电流 :
- 100 mA
- 最小工作温度 :
- - 55 C
- 系列 :
- 4N
- 绝缘电压 :
- 2500 Vrms
- 输出类型 :
- NPN Phototransistor
- 通道数量 :
- 1 Channel
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