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产品概览

产品型号
SSM6N7002BFE,LM
现有数量
9,641
制造商
Toshiba
产品类别
MOSFET
产品描述
MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

文档与媒体

数据列表
SSM6N7002BFE,LM

产品详情

Id-连续漏极电流 :
200 mA
Pd-功率耗散 :
150 mW
Rds On-漏源导通电阻 :
2.1 Ohms
Vds-漏源极击穿电压 :
60 V
Vgs - 栅极-源极电压 :
10 V
商标名 :
U-MOSIV
安装风格 :
SMD/SMT
封装 :
Cut Tape, MouseReel, Reel
封装 / 箱体 :
ES6-6
技术 :
SI
晶体管极性 :
N-Channel
通道数量 :
2 Channel
配置 :
Dual
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