产品概览
- 产品型号
- CGH35030F
- 现有数量
- 0
- 制造商
- Cree, Inc.
- 产品描述
- 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30W, GaN HEMT, 28V, DC-6.0GHz, Flange
文档与媒体
- 数据列表
- CGH35030F
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 3 A
- Pd-功率耗散 :
- 14 W
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 120 V
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- - 10 V, 2 V
- 增益 :
- 12 dB
- 安装风格 :
- Flange Mount
- 封装 / 箱体 :
- 440166
- 技术 :
- GaN
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 晶体管类型 :
- HEMT
- 最大工作温度 :
- + 150 C
- 最大漏极/栅极电压 :
- -
- 最小工作温度 :
- - 40 C
- 输出功率 :
- 30 W
热销型号
热门分类
热销品牌
